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碳化硅粉料整形的目的
碳化硅粉料整形的目的
2021-05-06T09:05:01+00:00
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎 知乎专栏
碳化硅功率模块是碳化硅金氧半场效晶体管和碳化硅二极管的组合， 通常将驱动芯片放置在功率模块以外的驱动板上。为了充分发挥碳化硅金氧半场效晶体管的最优性能， 碳化硅金氧半场效晶体管的驱动芯片也可集成到功率模块内部， 形成智能功率模块[4]。Apr 27, 2012 对比整形前后碳化硅粉对挤出成型坯体密度的影响，分析其产生的原因。 实验结果发现，轮碾机整形法适合对粒径范围在100～1000＃m中粗碳化硅粉整形，轮碾机 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 豆丁网
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎 知乎专栏
研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。 Aug 2, 2016 通过系统的研究，得到了较为理想的球形碳化硅颗粒，给出了碳化硅粉体球磨整形工艺最佳工艺参数，即在碳化硅固含量40％、球磨速度80r／min、磨介球为2mm和 碳化硅粉体整形工艺的的分析研究 豆丁网
碳化硅、金刚石等磨料微粉通常如何进行颗粒整形？ 技术科普
三、其他待探索整形技术 1 超声波整形工艺 超声波法属于物理整形法，是利用超声波振动产生的能量局部撞击固体物料而达到破碎的目的，所以对碳化硅这种高硬度、脆性大的 3生产的碳化硅细粉能够达到1200目的要求，若客户需要分级出更细的粉料，例如2000 目以上的，可以加入逐级选粉系统，这样的超细微粉价值更高；4传动部分采用立式减速机 碳化硅粉料整形的目的 cmt
碳化硅粉体的整形及其挤出成型《武汉理工大学》2010年硕士论文
碳化硅粉体的整形及其挤出成型 陈海亚 【摘要】： 目前国内生产的高端SiC系列陶瓷包括反应烧结碳化硅 (RBSC)、重结晶碳化硅 (RSiC)和氮化硅结合碳化硅 (Si3N4SiC),而国产 Nov 30, 2020 高纯SiC粉料合成方法 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其中CVD法合成SiC 碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺探究
碳化硅粉的球磨整形研究 百度文库
碳化硅粉来自山东金蒙新材料股份有限公司，产品纯度≥985%，选用了三种粒度的SiC粉来进行机械球磨整形研究，其D50分别为3094、1058、1549μm (对应样品编号a、b和c， Aug 21, 2020 三、高纯SiC粉体合成工艺展望 改进的自蔓延法合成SiC，原料较为低廉，工序相对简单，是目前实验室用于生长单晶合成SiC粉体常用的方法，且合成过程中发现， 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学 搜狐
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
Apr 24, 2022 碳化硅作为一种重要的结构陶瓷材料，凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业领域，还可作为防弹装甲材料、空间反射镜、半导体晶圆制备中夹具材料及核燃料包壳材料 [15] 。 碳化硅优异的性能源自于其晶体结构和 SiC Nov 11, 2021 碳化硅是第三代半导体产业的重要基础材料，以它为核的功率器件耐高压、耐高温、低损耗，满足高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 是目前综合性能最好、商品化程度较高、技术最为成熟的第三代半导体材料。 02产业链 碳化硅产业链和其他半导体芯片产业链一样，分为上游衬底， 彻底弄懂碳化硅产业及重点企业 知乎 知乎专栏
90%碳化硅细粉 知乎 知乎专栏
Jun 14, 2021 一般来说，90%碳化硅细粉SiC粉料合成的方法主要有三种:Acheson法、有机合成法和自蔓延法。 Acheson法是在高温、强电场作用下，Si02被C还原，首先生成β SiC，高温下转变成a SiC。 这种方法合成的SiC粉末需要粉碎、酸洗等工序，杂质含量较高，其纯度无法达到生长半导体单晶的水平。 有机合成法主要用于制备纳米级SiC粉，合 Feb 4, 2015 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 目前国内生产的高端SiC系列陶瓷包括反应烧结碳化硅（RBSC）、重结晶碳化硅（R－SiC）和氮化硅结合碳化硅（Si。 N－SiC），而国产碳化硅陶瓷在使用温 度、强度和使用寿命等产性能与国外都有一定的差距。 因此改进材料 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 豆丁网
碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺探究 中国粉
Nov 30, 2020 高纯SiC粉料合成方法 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、甲烷、乙烯、乙炔和丙烷等，而 Feb 5, 2018 因此通过减小破碎强度，增加介质与粉末之间的摩擦作用，利用研磨方式来达到整形的目的。 在此基础上，采取如下措施： （ 1）使研磨介质处于泻落状态。 降低球磨机的转速率，转速率为57% ～ 63%; （ 2）增加磨球间相互研磨作用力。 减小磨球直径，增加磨球个数，球料比（ 4～5）∶1，填充率04 ～045。 试验产品的技术要求： 碳化硼微 磨料微粉的颗粒整形技术对比与分析
碳化硅如何导电？ 知乎
碳化硅作为一种常见的工业磨料，严格讲是一种半导体材料，其电学性质属杂质导电性，电阻率在10^ˉ2～10^12Ω㎝之间。 其导电性能随碳化硅晶体中引入杂质的种类和数量的不同而变化，碳化硅根据其含杂质不同，导电性能也不同。 在纯碳化硅的形式下，其 3生产的碳化硅细粉能够达到1200目的要求，若客户需要分级出更细的粉料，例如2000 目以上的，可以加入逐级选粉系统，这样的超细微粉价值更高；4传动部分采用立式减速机、立式传动轴。由立式传动轴带动主动研磨盘转动，且传动轴至研磨盘上无一 碳化硅粉料整形的目的 cmt
碳化硅粉的球磨整形研究 百度文库
碳化硅粉来自山东金蒙新材料股份有限公司，产品纯度≥985%，选用了三种粒度的SiC粉来进行机械球磨整形研究，其D50分别为3094、1058、1549μm (对应样品编号a、b和c，整形后对应编号为d、e和f)。 12 碳化硅粉体的整形 本实验机械整形采用QM800球釉机，转速设 三、其他待探索整形技术 1 超声波整形工艺 超声波法属于物理整形法，是利用超声波振动产生的能量局部撞击固体物料而达到破碎的目的，所以对碳化硅这种高硬度、脆性大的材料容易进行加工。 2 氧化腐蚀结合球磨整形工艺法 氧化腐蚀结合球磨工艺原理 碳化硅、金刚石等磨料微粉通常如何进行颗粒整形？ 技术科普
中国电科（山西）碳化硅材料产业基地 从0到1再到100的跨越
Mar 28, 2021 成长的喜悦和烦恼都是为了一片片薄薄的碳化硅晶片。 2020年9月，山西烁科晶体有限公司整体由市区迁至位于山西综改示范区的中国电科（山西）碳化硅材料产业基地。3月12日，记者在基地办公大楼一层大厅看到，碳化硅粉料、碳化硅单晶锭、碳化硅晶片等展 Aug 21, 2020 碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学 搜狐
山东天岳部分核心技术及其储备技术Rad聊碳化硅
Jun 2, 2021 近期，上交所受理山东天岳科创板IPO申请，其中天岳公司提到了其核心技术及其储备技术，在此就做一个整理，提取部分我感兴趣的点。 核心技术 1碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术 CN29一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置 有权 Jul 4, 2020 碳化硅结晶块中含有大量的孔隙(结晶颗粒之间)，经一般破碎后仍有存在。对于某些要求颗粒形状好、强度高的场合，应该对破碎后的SiC颗粒进行整形处理。整形的主要目的是增加等积形颗粒的含量和减少重叠粒(即几个结晶体结合而成的颗粒)。耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号